
Стеклянный порошок для высокотемпературной серебряной пасты является ключевым неорганическим связующим компонентом в системе серебряной пасты.
Стеклянный порошок для высокотемпературной серебряной пасты является ключевым неорганическим связующим компонентом в системе серебряной пасты. В основном используется бессвинцовая рецептура на основе висмут-боросиликатной системы. Размер частиц точно контролируется в диапазоне 1–5 мкм. Порошок адаптирован к процессу высокотемпературного спекания при 500–850°C и широко применяется при изготовлении высокотемпературной серебряной пасты для фотоэлектрических электродов, керамических схем и электронных компонентов. На этапе спекания органическое связующее улетучивается под воздействием тепла, а стеклянный порошок первым плавится и смачивает частицы серебряного порошка. Он связывает серебряный порошок, формируя непрерывный токопроводящий контур, и вступает в межфазное химическое соединение с алюмооксидной керамикой и кремниевой подложкой. После отверждения серебряный токопроводящий слой прочно прикрепляется к основанию, что полностью исключает проблему отслоения электрода.
Стеклянный порошок одновременно выполняет функции флюса и травления: он способен мягко вытравливать пассивирующий слой нитрида кремния на кремниевой пластине, снижая контактное сопротивление между серебром и кремнием, и одновременно заполнять промежутки между частицами серебра, повышая плотность плёнки. Рецептура позволяет точно регулировать температуру размягчения и коэффициент теплового расширения, обеспечивая соответствие тепловому расширению подложки и предотвращая растрескивание и коробление серебряного слоя после высокотемпературного спекания. Благодаря высокой химической стабильности, низкой степени кристаллизации и превосходной высокотемпературной текучести, данный материал не только гарантирует стабильность электропроводности серебряной пасты, но и повышает адгезию электрода и устойчивость к воздействию влаги и тепла. Это ключевой вспомогательный материал для повышения эффективности преобразования фотоэлектрических элементов и продления срока службы высокотемпературных схем.